（宝安新馆）· 3号馆·封测剧院召开。届时，爱发科市场战略中心负责人王禹将受邀出席论坛，并将带来《碳化硅功率器件制造工艺设备技术进展》主题演讲。

  面向未来智能社会所需的电力电子无人驾驶等领域，近年来第三代功率半导体材料（SiC，GaN等）具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性，慢慢的变成了最有潜能的新一代材料。随着化合物半导体器件的日益普及和大范围的应用，化合物半导体封装和模块将向着低损耗、低感量、高功率密度、高散热性能、高集成度、多功能等方向发展，未来将衍生出与硅基封装技术和产品形式不同的发展路线，先进封装材料、可靠性技术都在不断的发展提升。

  爱发科拥有SiC功率器件综合量产解决方案，届时爱发科市场战略中心负责人王禹将在《碳化硅功率器件制造工艺设备技术进展》主题演讲中分享最新解决方案及研究进展。

  王禹，爱发科市场战略中心负责人，超过10年以上的上市公司高管经验，主要负责未来市场及技术战略企划工作，同时兼任负责爱发科设备营业工作。主要研究工作在第三代半导体SiC、GaN功率器件、MEMS光学器件、先进封装、Micro Display等领域，有着丰富的理论基础和市场实践经验。

  株式会社ULVAC(ULVAC,Inc.)是以在各领域获得大范围的应用的真空技术为基础，以开创精细加工工艺为追求目标的研究开发型综合企业。2000年投资成立了爱发科真空技术(上海)有限公司，为ULVAC集团的设备在中国的安装调试、维护保养、零部件销售等提供售后服务。2006年在爱发科真空技术(上海)有限公司的基础上，整合ULVAC集团在中国的销售网络，成立了爱发科商贸(上海)有限公司。

  爱发科商贸（上海）有限公司，是一流的真空薄膜综合解决方案提供商。作为爱发科集团的全资子公司，成立于2006年7月，在中国大陆形成设备销售及售后服务的网络体系，一直在优化爱发科在全国的客户服务据点分布，目前共设有13个服务网点，持续为客户提供完善的一体化服务。拥有面向平板显示 (TFT-LCD、AM-OLED、Micro-LED）、锂电池(EWE、EWG、 EWK）、集成电路Logic、Memory）、电子元器件IGBT、SiC功率器件、压电MEMS、SAW/BAW等）、触摸屏、真空治金、真空包装、研究开发等领域的设备及各种靶材的销售，以及设施安装调试、定期保养、维护维修、零部件销售、设备改造、零部件清洗等国内外集团公司产品营销售卖及售后服务。

  欲知最新研究进展与成果，敬请关注论坛，也欢迎相关领域专家、学者、行业企业和事业单位参会交流，共商合作事宜。

  原文标题：CASICON深圳前瞻 爱发科王禹:碳化硅功率器件制造工艺设备技术进展

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  近几年的加快速度进行发展 近几年来，低碳生活也是随之而来，随着太阳能产业的发展，作为光伏产业用的材料，

  是宽禁带半导体材料的一种，主要特征是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，

  效率方面，相较于硅晶体管在单极(Unipolar)操作下无法支持高电压，

  上面没有做任何掩膜，就为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中

  MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个

  有哪些优劣势？ /

  ，已经大范围的应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍

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